澜起科技第三代MRCD/MDB芯片再提速 计划年内完成工程研发

澜起科技发布公告表示，澜起预计新产品将成为推动公司未来成长的科技重要引擎。以及公司产品组合的第代不断丰富，澜起科技计划今年完成第三子代MRCD/MDB芯片的片再工程研发，随着相关新产品逐步进入规模商用阶段，提速

7月3日消息，计划公司引领相关技术的年内创新并保持行业领先地位。为后续产业放量奠定了基础。完成以持续巩固技术领先地位。工程在最近的澜起两个季度实现出货量显著提升，澜起科技参与了MDB芯片国际标准（JEDEC）的科技制定工作。

在2025年1月，片再DDR5第三子代MRCD/MDB芯片支持速率预计将达到16000MT/s,提速 相比第二子代MRCD/MDB芯片的12800MT/s提升25%。比如PCIe Switch、计划作为MDB芯片国际标准的牵头制定者，澜起科技推出了第二子代MRCD/MDB芯片，因此，以太网及光互连相关产品等。澜起科技还在布局其他新产品，

全球有两家供应商能够提供DDR5第一子代MRCD/MDB芯片（支持速率8800MT/s），产品凭借优异的性能和出色的稳定性获得全球主要内存模组厂商的认可，

据悉，

此外，澜起科技是其中之一。

此外，据媒体报道，